RISE har inlett ett strategiskt samarbete med Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC) vid Seoul National University. Avtalet syftar till att gemensamt utveckla nästa generations krafthalvledarteknologier i takt med att den globala elektrifieringen ökar.
Partnerskapet kommer att fokusera på forskning och utveckling av högpresterande och pålitliga komponenter för elfordon, förnybar energi, datacenter, järnvägssystem och flyg. Särskild tonvikt läggs på krafthalvledare baserade på kiselkarbid (SiC) och galliumnitrid (GaN), som uppvisar en snabbt växande efterfrågan på den internationella marknaden.
”Vi kombinerar nu våra forsknings- och utvecklingsresurser för att konkret bidra till att lösa centrala utmaningar för framtidens elektrifierade industrier,” säger Björn Samel, avdelningschef för Smart hårdvara på RISE, i ett pressmeddelande.
Även från sydkoreanskt håll betonas avtalets långsiktiga betydelse. Professor Sang-Won Yoon vid Seoul National University framhäver potentialen för att utöka samarbetet. ”Vi ser fram emot ett nära samarbete och hoppas kunna bredda vårt partnerskap till olika halvledarområden,” säger professor Yoon från institutionen för elektroteknik och datorteknik.
Den globala trenden mot elektrifiering, som drivs av ökningen av elfordon och integrationen av förnybar energi, samt det växande energibehovet i hyperskaliga datacenter, har gjort krafthalvledare till en strategiskt viktig teknologi. Komponenter baserade på SiC och GaN anses centrala för att minska energiförluster och förbättra systemeffektiviteten, och de spelar en viktig roll i den framtida industriella infrastrukturen.
Samarbetet mellan RISE och ISRC stödjer också den sydkoreanska regeringens satsningar på att skapa en hyperinnovativ ekonomi, särskilt inom utveckling av material och komponenter för krafthalvledare.
